Отговори на теста по мениджмънт
Sunday, April 17th, 2011За колегите от ТУ София, Електроника, избрали предмета мениджмънт.
На PDF-чето има снимки на тетрадката с решените и проверени от лекторката тестове. Успех на изпита!
Archive for the ‘ТУ София’ Category
Циклокнвертори – схеми
Thursday, February 3rd, 2011Малко помощни материали по ПТ (преобразувателна техника)
Трифазен циклоконвертор
Еднофазен циклоконвертор
Може да ви е от полза и това:
циклоконвертори и приложението им в електрозадвижването (pdf)
Още нещо, което може да Ви е интересно:
Курс на тема System-on-a-Chip
Monday, January 24th, 2011ТУ-София и холандски институт подготвят летен курс на тема System-on-a-Chip
Факултетът по електронна техника и технологии (ФЕТТ) на Техническия университет – София съвместно с Leiden Institute of Advanced Computer Science (LIACS) на Университета Leiden – Холандия организират през летния семестър на учебната 2010/2011 година факултативен курс “Вградени многопроцесорни системи върху чип”.
Според организаторите, курсът е предназначен за студентите, обучавани за магистър-инженер по специалността “Електроника”, но ще бъде полезен и за магистри и докторанти от други специалности с интереси в тази област. Желаещите да се запишат в обучението могат да го направят в стая 1331 – студентската канцелария на ФЕТТ.
Хорариум на учебната дисциплина:• лекции 30 ч. – на английски език,лектор: Prof. Dr. Ir. Ed Deprettere, LIACS;• лабораторни упражнения 30 ч.,асистент: д-р инж. Христо Николов, LIACS.Записване в курса – в студентската канцелария на ФЕТТ – стая 1331.Ръководство на ФЕТТ
Още нещо, което може да Ви е интересно:
Класификация и чистота на материалите за микроелектрониката
Sunday, January 23rd, 2011Общи сведения и класификация на материалите за микроелектрониката. Чистота на веществата. Начин за изразяване на чистотата.
Използваните в микроелектрониката материали са много разнообразни както по химически състав, така и по структура и свойства. Тези материали могат да бъдат разделени на четири основни групи: основни, технологически, конструкционни и спомагателни.
- Основни – към тях се отнасят полупроводниковите материали, които са база за изготвяне на полупроводниковите прибори, интегрални схеми, оптоелектронни елементи и т.н;
- Технологически – те се използват в технологическите процеси на производство на микроелектронни изделия. Това са абразивни материали за механична обработка, химически материали (разтворители и ецващи състави), химически реагенти (фоторезисти, рентгенорезисти, електронорезисти), дифузианти, защитни и изолиращи материали;
- Конструкционните елементи се използват и за изготвяне на корпуси на елементите и интегралните схеми. Това са метали, сплави, стъкла, пластмаси, керамика и др;
- Спомагателни – имат предназначение да осигурят необходимите условия (газова среда) при провеждане на технологичните процеси. Тук се отнасят и материалите за изработване на технически приспособления – азбест, тефлон, кварц, вакуумни смазки, тефлон, материали за оцветяване и маркировка. От съществено значение е и особено чистата дейонизираща вода.
Още нещо, което може да Ви е интересно:
Галиев фосвид, индиев арсенид, индиев фосвид
Saturday, January 22nd, 2011Галиев фосвид, индиев арсенид, индиев фосвид – свойства, получаване и приложение
Това са съединенията от AIII BIV група на периодичната система. През последните няколко десетилетия тези материали интензивно се изследват, изучават и все повече използват в микроелектрониката.
Галиев фосфид GaP
Галевият фосфид представлява прозрачни оранжеви кристали с онтосителна плътност 4.15. Топи се при 1500?С. Ширината на забранената зона е 2.4 eV. Характерни за него са електролуменесцентните му свойства. Галиевият фосфид се синтезира при много тежки условия - високата температура на топене и много високото налягане на фосфорните пари при тази температура (около 3MPa) създават доста трудности главно при намиране на подходящ материал, който да издържи на тези условия. Относително най-подходящ за тигли е материалът корунд. Изтеглянето на монокристали става по метода на Чохлапски. Галиевият фосфид се използва за производство на високотемпературни изправители, които могат да работят при температура над 500?С. Той е и изходен материал за производство на луминесцентни диоди, които могат да излъчват от жълта до тъмночервена светлина, в зависимост от концентрацията на легиращите примеси.
Още нещо, което може да Ви е интересно:
Тънкослойни резистивни материали
Friday, January 21st, 2011Резисторите изпълняват функции на регулиране и разпределение на електрическата енергия. Освен това зависимостта на специфичното съпротивление от външни въздействия се използва за преобразуване на неелектрически величини в електрически (терморезистори, тензорезистори, фоторезистори и др.). Дискретните резистори на база тънки слоеве в сравнение с обемните такива имат по-добри параметри и повишена надеждност, а при съпоставяне с прецизните жични резистори при сравними стойности на параметрите са по-евтини. При резистори с размери по-малки от 130?m използването на тънкослойни резистори е задължително.
Изисквания към тънкослойните резистори:
- Повърхностно съпротивление в границите 10-1000?;
- Нисък температурен коефициент на съпротивлението (обикновено по-малък от 1.10-4 1/°С);
- Трябва да бъдат достатъчно стабилни. Всяко очаквано изменение на съпротивлението не трябва да превишава допустимата стойност;
- Изготвянето трябва да бъде технологично;
- Да се използва технология, чиято цена да бъде приемлива.
Още нещо, което може да Ви е интересно:
Полупроводникови материали. Германий (Ge)
Friday, January 21st, 2011Полупроводниковите материали по химически състав са прости (елементарни) и сложни. Простите материали са химическите елементи бор В, въглерод С, германий Ge, силиций Si, селен Se, сяра S. В полупроводниковата микроелектроника основно се използват Ge и Si, а останалите намират приложение като легиращи добавки или компоненти в сложни съединения. Сложните полупроводникови материали са химически съединения, включващи 2, 3 или повече елемента. Те се обозначават според номера на групите в периодичната система на елементите и буквите от латинската азбука.
Германий
Той е открит през 1886г. от Винклер. В периодичната система се намира в IV група между силиций и калай. Кристалната му решетка е кубична, подобна на тази на диаманта. При топене на Ge ковалентните връзки се разрушават и обемът на разтопения Ge намалява с 5,5%.
Още нещо, което може да Ви е интересно:
Галиев арсенид (GaAs)
Thursday, January 20th, 2011От всички AIII BV (от периодичната система на Менделеев) съединения най-интересен и доста приложим в полупроводниковата техника като материал е галиевият арсенид. Неговото най-важно свойство е високата подвижност на електроните. Този факт позволява изготвяне на СВЧ-прибори с подобрени характеристики. Друго предимство е голямата ширина на забранената
зона, което дава възможност за работа на структурите при повишени температури. GaAs е подходящ материал за радиационноустойчиви прибори и интегрални схеми.
Основен недостатък е фактът, че GaAs е двукомпонентно съединение. Той изисква понижаване на максималните температури по време на технологичните процеси, за да се избегне повърхностната дисоциация.
Легирането чрез дифузия е неприемливо за GaAs. При него не съществува и стабилен, лесно формиращ се естествен оксид. Повърхността му е по-чувствителна към въздействието на различни химични вещества, използвани в технологичните процеси, което изисква нов подход при реализацията им. GaAs е твърде крехък материал и има опасност от разрушаване при различните технологични обработки. Намира практическо приложение при:
Още нещо, което може да Ви е интересно:
Разделяне на веществата чрез сублимация, дестилация и ректификация
Thursday, January 20th, 2011В основата на всички методи за дълбоко очистване на веществата се използва разликата във физическите, химическите и физико-химичните свойства. При съществено различие в свойствата разделянето става значително лесно. Проблемът става сложен, като примесът и основният компонент са много близки при физико-химични характеристики.
Сублимацията представлява процес на директен преход на веществото от твърдо в газообразно агрегатно състояние без да се стапя. Като метод е приложим при тези вещества, които нагрети при температура по-малка от температурата на топене имат високо налягане на парите. При наличие на примеси в основното вещество, по-летливи от него, те ще сублимират при по-ниска температура, а по-малко летливите ще се натрупват в остатъка след сублимация на основното вещество.
Още нещо, което може да Ви е интересно:
Силиций – получаване, свойства и приложение
Wednesday, January 19th, 2011
По разпространение силицият заема второ място в природата (след кислорода) под формата на силициев диоксид. Той е основна суровина за получаване на технически силиций чрез редукция на шихта, съдържаща SiO2 и желязна руда.
Техническият силиций се почиства чрез обработка с киселини – сярна, солна, флуороводородна. Тези киселини разтварят примерсите, които замърсяват силиция – желязо, алуминий, мед, калций. По-нататъшно почистване се извършва по следните методи:
- Хлориране на технически силиций – крайна цел е получаване на течност, пречистваща се лесно чрез ректификация;
- Йодиден метод – реакцията е обратима и при температура 850?С чрез термично разлагане се получава чист силиций. Недостатък на този метод е използването на скъпия и дефицитен материал йод;
- Трихлорсиланов метод – изходната суровина е SiHCl3 . Получава се чрез хлориране на Si със HCl.
Физико-химични свойства на силиция