RSS

Archive for the ‘елементи’ Category

Фототранзистор

Wednesday, February 17th, 2010

от Уикипедия, свободната енциклопедия

Фототранзистор (наричан още фотодиод поради наличието на определена аналогия в работата на двата полупроводникови прибора) е полупроводников високочувствителен малкоинерционен преобразувател на светлинни сигнали в електрически. Във фототранзистора като емитер се използва падащият светлинен сноп. Напоследък под фототранзистор се разбира транзистор (p-n-p или n-p-n) с изключена база, който едновременно играе ролята и на индикатор, и на усилвател на тока. Поради малките габарити и сравнително малка инерционност, фототранзистора и фотодиода намират голямо приложение в автоматиката и другаде, макар че в много случаи отстъпват по чувствителност на фотосъпротивленията.

Още нещо, което може да Ви е интересно:

Tags: ,
Posted in Eлектроника, елементи, транзистори | No Comments »

Напрежения за отпушване на светодиоди

Sunday, January 31st, 2010

Ето табличка с напреженията, необходими за отпушванена различните светодиоди.

Color Wavelength (nm) Voltage (V) Semiconductor Material
Infrared delta > 760 deltaV < 1.9 Gallium arsenide (GaAs)
Aluminium gallium arsenide (AlGaAs)
Red 610 < delta < 760 1.63 < deltaV < 2.03 Aluminium gallium arsenide (AlGaAs)
Gallium arsenide phosphide (GaAsP)
Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP)
Gallium(III) phosphide (GaP)
Orange 590 <delta< 610 2.03 < deltaV < 2.10 Gallium arsenide phosphide (GaAsP)
Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP)
Gallium(III) phosphide (GaP)
Yellow 570 < delta < 590 2.10 < deltaV < 2.18 Gallium arsenide phosphide (GaAsP)
Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP)
Gallium(III) phosphide (GaP)
Green 500 < delta < 570 1.9 < deltaV < 4.0 Indium gallium nitride (InGaN) / Gallium(III) nitride (GaN)
Gallium(III) phosphide (GaP)
Aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP)
Aluminium gallium phosphide (AlGaP)
Blue 450 < delta < 500 2.48 <delta?V < 3.7 Zinc selenide (ZnSe)
Indium gallium nitride (InGaN)
Silicon carbide (SiC) as substrate
Silicon (Si) as substrate — (under development)
Violet 400 < delta < 450 2.76 < deltaV < 4.0 Indium gallium nitride (InGaN)
Purple multiple types 2.48 < deltaV < 3.7 Dual blue/red LEDs,
blue with red phosphor,
or white with purple plastic
Ultraviolet delta < 400 3.1 < deltaV < 4.4 diamond (235 nm)[33]
Boron nitride (215 nm)[34][35]
Aluminium nitride (AlN) (210 nm)[36]
Aluminium gallium nitride (AlGaN)
Aluminium gallium indium nitride (AlGaInN) — (down to 210 nm)[37]
White Broad spectrum deltaV = 3.5 Blue/UV diode with yellow phosphor

Още нещо, което може да Ви е интересно:

Tags: , ,
Posted in Eлектроника, диоди, елементи | No Comments »